SK Hynix、広帯域幅の高速DRAM「HBM2E」の16GB品の量産を開始

SK Hynixは7月2日、高速DRAM「HBM2E」の本格的な量産を開始したことを発表した。

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同製品は、1ピンあたり3.6Gbpsの速度パフォーマンスであり、1024本のI/Oにより460GB/sのデータ処理速度を提供する。同社によれば、この速度は毎秒124本のフルHDの映画(1本あたり3.7GB)を送信できるという。

メモリの容量は、TSV技術を用いることで16GビットのHBM2Eチップ8枚を積層することで16GBを実現したとしている。

HBM2Eは高速、大容量、低電力といった特徴を有しており、ディープラーニングのアクセラレータやHPCを含む次世代AI(人工知能)システムでの活用が期待されているほか、気候変動やバイオ医学、宇宙探索などの次世代基礎科学・応用科学の研究をリードするエクサスケールスーパーコンピュータへの活用も期待されている。

なお、同社ではHBM2Eの本格的な量産により、プレミアムメモリ市場でのプレゼンスを強化し、第4の産業革命をリードしていくと抱負を語っている。