富士通ゼネラル、小型のGaNモジュール開発

富士通ゼネラルで電子デバイス事業を担当する子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス（FGEL）は、次世代半導体素材の窒化ガリウム（GaN）を使ったパワー半導体の小型モジュールを開発したと15日に発表した。

GaNデバイスで市場をリードする米トランスフォーム製の650ボルト/40アンペア級GaNトランジスタ（GaNｰFET）と、ゲートドライブ回路を独自の設計技術で小型モジュールに実装した。寸法はトランジスタの4素子入りが34×63×12ミリメートルで、6素子入りが35×46×8ミリメートルである。

開発したGaNモジュールはシリコンを使った通常のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）モジュールと比較して、電力損失を大幅に低減できるとする。両モジュールを400ワット級サーボモーターに搭載したところ、IGBTの電力損失が17ワットであるのに対して、GaNでは8ワットだった。

「GaNなどの次世代パワー半導体の市場は、2025年頃を境に大きく成長する。電源関連や産業機器に展開していき、将来は車載分野にも進出したい」（FGEL社長の岡田雅史氏）。このモジュールは21年秋にサンプル出荷を開始する。

サンプル価格（税込み）は4素子入りが3万8500円で、6素子入りが4万8950円。現在、22年秋の量産に向けたコストダウンを進めている。FGELは、29年頃にGaNモジュールの売り上げで100億円を目指す。